Transistor

<b>Transistor</b> adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.<br /> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 252px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Transistor-photo.JPG&filetimestamp=20041223034321"><img alt="" class="thumbimage" height="131" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f8/Transistor-photo.JPG/250px-Transistor-photo.JPG" width="250" /></a> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Transistor-photo.JPG&filetimestamp=20041223034321" title="Perbesar"><br /></a></div> Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)</div> </div> </div> Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.<br /> Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai <b>logic gate</b>, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.<br /> <br /><h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Cara_kerja_semikonduktor">Cara kerja semikonduktor</span></h2> Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik.<br /> Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas.<br /> Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.<br /> Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.<br /> Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).<br /> Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya.<br /> Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.<br /> Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat diubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.<br /> Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Cara_kerja_transistor">Cara kerja transistor</span></h2> Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.<br /> Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.<br /> FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Jenis-jenis_transistor">Jenis-jenis transistor</span></h2> <div class="thumb tright" style="background-color: #f9f9f9; border: 1px solid rgb(204, 204, 204);"> <table border="0" cellpadding="10" cellspacing="0" style="border: 1px solid rgb(204, 204, 204); font-size: 85%; margin: 0.3em;"> <tbody> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:BJT_symbol_PNP.svg&filetimestamp=20060910003041"><img alt="BJT symbol PNP.svg" height="53" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0d/BJT_symbol_PNP.svg/45px-BJT_symbol_PNP.svg.png" width="45" /></a></td> <td>PNP</td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:JFET_symbol_P.png&filetimestamp=20050626193934"><img alt="JFET symbol P.png" height="51" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/e/e3/JFET_symbol_P.png" width="42" /></a></td> <td>P-channel</td> </tr> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:BJT_symbol_NPN.svg&filetimestamp=20061003194710"><img alt="BJT symbol NPN.svg" height="53" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/aa/BJT_symbol_NPN.svg/45px-BJT_symbol_NPN.svg.png" width="45" /></a></td> <td>NPN</td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:JFET_symbol_N.png&filetimestamp=20050626193930"><img alt="JFET symbol N.png" height="51" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/c/c8/JFET_symbol_N.png" width="42" /></a></td> <td>N-channel</td> </tr> <tr align="center"> <td>BJT</td> <td><br /></td> <td>JFET</td> <td><br /></td> </tr> </tbody></table> <div style="border: medium none;"> <div class="thumbcaption"> Simbol Transistor dari Berbagai Tipe</div> </div> </div> Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:<br /> <ul> <li>Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide</li> <li>Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain</li> <li>Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (<i>Integrated Circuit</i>) dan lain-lain.</li> <li>Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel</li> <li>Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power</li> <li>Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain</li> <li>Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain</li> </ul> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="BJT">BJT</span></h3> BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).<br /> Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau <span class="texhtml" dir="ltr"><i>h</i>_{<i>F</i><i>E</i>}</span>. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="FET">FET</span></h3> FET dibagi menjadi dua keluarga: <b>Junction FET</b> (JFET) dan <b>Insulated Gate FET</b> (IGFET) atau juga dikenal sebagai <b>Metal Oxide Silicon</b> (atau <b>Semiconductor</b>) <b>FET</b> (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.<br /> FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe <b>enhancement mode</b> dan <b>depletion mode</b>. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan peny…

Read More

Dioda

<br /> <div id="jump-to-nav"> <a href="http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda#p-search"></a> </div> <table cellspacing="5" class="infobox" style="font-size: 88%; width: 22em;"> <tbody> <tr> <th class="" colspan="2" style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(255, 255, 136); font-size: 125%; font-weight: bold; text-align: center;"><b>Dioda</b></th> </tr> <tr class=""> <td class="" colspan="2" style="text-align: center;"><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode-closeup.jpg&filetimestamp=20070810060122" title="Foto dari dioda, menunjukkan kristal semikonduktor berbentuk kubus"><img alt="Foto dari dioda, menunjukkan kristal semikonduktor berbentuk kubus" height="148" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/d/d5/Diode-closeup.jpg/200px-Diode-closeup.jpg" width="200" /></a><br /> Foto dari dioda semikonduktor</td> </tr> <tr class=""> <th style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(255, 170, 136); text-align: left;">Simbol</th> <td class="" style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(238, 238, 238);"><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_symbol.svg&filetimestamp=20060504035118" title="Simbol dioda"><img alt="Simbol dioda" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b4/Diode_symbol.svg/100px-Diode_symbol.svg.png" width="100" /></a><br /> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Vacuum_diode.svg&filetimestamp=20070108124134" title="Simbol dioda tabung hampa"><img alt="Simbol dioda tabung hampa" height="107" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/af/Vacuum_diode.svg/100px-Vacuum_diode.svg.png" width="100" /></a></td> </tr> <tr class=""> <th style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(255, 170, 136); text-align: left;">Tipe</th> <td class="" style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(238, 238, 238);">Komponen aktif</td> </tr> <tr class=""> <th style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(255, 170, 136); text-align: left;">Kategori</th> <td class="" style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(238, 238, 238);">Semikonduktor <small>(dioda kristal)</small><br /> Tabung hampa <small>(dioda termionik)</small></td> </tr> <tr class=""> <th style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(255, 170, 136); text-align: left;">Penemu</th> <td class="" style="background: none repeat scroll 0% 0% rgb(238, 238, 238);">Frederick Guthrie (1873) <small>(dioda termionik)</small><br /> Karl Ferdinand Braun (1874) <small>(dioda kristal)</small></td> </tr> <tr> <td colspan="2" style="text-align: right;"><div class="noprint plainlinks navbar" style="background: none repeat scroll 0% 0% transparent; font-size: xx-small; font-weight: normal; padding: 0pt;"> <a href="http://id.wikipedia.org/wiki/Templat:Infobox_komponen_elektronika" title="Templat:Infobox komponen elektronika"><span title="Lihat templat ini"></span></a><a class="external text" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Templat:Infobox_komponen_elektronika&action=edit" rel="nofollow"><span title="Sunting templat ini"><br /></span></a></div> </td> </tr> </tbody></table> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 152px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Dioden2.jpg&filetimestamp=20070925081655"><img alt="" class="thumbimage" height="353" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/60/Dioden2.jpg/150px-Dioden2.jpg" width="150" /></a> <br /> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Dioden2.jpg&filetimestamp=20070925081655" title="Perbesar"><br /></a></div> Berbagai dioda semikonduktor, bawah adalah penyearah jembatan</div> </div> </div> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 202px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_tube_schematic.svg&filetimestamp=20091011002442"><img alt="" class="thumbimage" height="259" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/36/Diode_tube_schematic.svg/200px-Diode_tube_schematic.svg.png" width="200" /></a> <br /> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_tube_schematic.svg&filetimestamp=20091011002442" title="Perbesar"><br /></a></div> Struktur dari dioda tabung hampa</div> </div> </div> Dalam elektronika, <b>dioda</b> adalah komponen aktif bersaluran dua (dioda termionik mungkin memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda mempunyai dua elektroda aktif dimana isyarat listrik dapat mengalir, dan kebanyakan dioda digunakan karena karakteristik satu arah yang dimilikinya. Dioda varikap (<i>VARIable CAPacitor</i>/kondensator variabel) digunakan sebagai kondensator terkendali tegangan.<br /> Sifat kesearahan yang dimiliki sebagian besar jenis dioda seringkali disebut karakteristik menyearahkan. Fungsi paling umum dari dioda adalah untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu arah (disebut kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut kondisi panjar mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi elektronik dari katup pada transmisi cairan.<br /> Dioda sebenarnya tidak menunjukkan kesearahan hidup-mati yang sempurna (benar-benar menghantar saat panjar maju dan menyumbat pada panjar mundur), tetapi mempunyai karakteristik listrik tegangan-arus taklinier kompleks yang bergantung pada teknologi yang digunakan dan kondisi penggunaan. Beberapa jenis dioda juga mempunyai fungsi yang tidak ditujukan untuk penggunaan penyearahan.<br /> Awal mula dari dioda adalah peranti kristal Cat's Whisker dan tabung hampa (juga disebut katup termionik). Saat ini dioda yang paling umum dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium.<br /> <br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Sejarah">Sejarah</span></h2> Walaupun dioda kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum dioda termionik, dioda termionik dan dioda kristal dikembangkan secara terpisah pada waktu yang bersamaan. Prinsip kerja dari dioda termionik ditemukan oleh Frederick Guthrie pada tahun 1873. Sedangkan prinsip kerja dioda kristal ditemukan pada tahun 1874 oleh peneliti Jerman, Karl Ferdinand Braun.<br /> Pada waktu penemuan, peranti seperti ini dikenal sebagai penyearah (<i>rectifier</i>). Pada tahun 1919, William Henry Eccles memperkenalkan istilah dioda yang berasal dari <i>di</i> berarti <i>dua</i>, dan <i>ode</i> (dari <i>ὅδος</i>) berarti "jalur".<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Prinsip_kerja">Prinsip kerja</span></h2> Prinsip kerja dioda termionik ditemukan kembali oleh Thomas Edison pada 13 Februari 1880 dan dia diberi hak paten pada tahun 1883 (U.S. Patent 307.031), namun tidak dikembangkan lebih lanjut. Braun mematenkan penyearah kristal pada tahun 1899. Penemuan Braun dikembangkan lebih lanjut oleh Jagdish Chandra Bose menjadi sebuah peranti berguna untuk detektor radio.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Penerima_radio">Penerima radio</span></h3> Penerima radio pertama yang menggunakan dioda kristal dibuat oleh Greenleaf Whittier Pickard. Dioda termionik pertama dipatenkan di Inggris oleh John Ambrose Fleming (penasihat ilmiah untuk Perusahaan Marconi dan bekas karyawan Edison) pada 16 November 1904 (diikuti oleh U.S. Patent 803.684 pada November 1905). Pickard mendapatkan paten untuk detektor kristal silikon pada 20 November 1906 (U.S. Patent 836.531).<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_termionik">Dioda termionik</span></h2> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 152px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Vacuum_diode.svg&filetimestamp=20070108124134"><img alt="" class="thumbimage" height="161" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/af/Vacuum_diode.svg/150px-Vacuum_diode.svg.png" width="150" /></a> <br /> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Vacuum_diode.svg&filetimestamp=20070108124134" title="Perbesar"><br /></a></div> Simbol untuk dioda tabung hampa pemanasan taklangung, dari atas kebawah adalah anoda, katoda dan filamen pemanas</div> </div> </div> Dioda termionik adalah sebuah peranti katup termionik yang merupakan susunan elektroda-elektroda di ruang hampa dalam sampul gelas. Dioda termionik pertama bentuknya sangat mirip dengan bola lampu pijar.<br /> Dalam dioda katup termionik, arus listrik yang melalui filamen pemanas secara tidak langsung memanaskan katoda (Beberapa dioda menggunakan pemanasan langsung, dimana filamen wolfram berlaku sebagai pemanas sekaligus juga sebagai katoda), elektroda internal lainnya dilapisi dengan campuran barium dan strontium oksida, yang merupakan oksida dari logam alkali tanah. Substansi tersebut dipilih karena memiliki fungsi kerja yang kecil. Bahang yang dihasilkan menimbulkan pancaran termionik elektron ke ruang hampa. Dalam operasi maju, elektroda logam disebelah yang disebut anoda diberi muatan positif jadi secara elektrostatik menarik elektron yang terpancar.<br /> Walaupun begitu, elektron tidak dapat dipancarkan dengan mudah dari permukaan anoda yang tidak terpanasi ketika polaritas tegangan dibalik. Karenanya, aliran listrik terbalik apapun yang dihasilkan dapat diabaikan.<br /> Dalam sebagian besar abad ke-20, dioda katup termionik digunakan dalam penggunaan isyarat analog, dan sebagai penyearah pada pemacu daya. Saat ini, dioda katup hanya digunakan pada penggunaan khusus seperti penguat gitar listrik, penguat audio kualitas tinggi serta peralatan tegangan dan daya tinggi.<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_semikonduktor">Dioda semikonduktor</span></h2> Sebagian besar dioda saat ini berdasarkan pada teknologi pertemuan p-n semikonduktor. Pada dioda p-n, arus mengalir dari sisi tipe-p (anoda) menuju sisi tipe-n (katoda), tetapi tidak mengalir dalam arah sebaliknya.<br /> Tipe lain dari dioda semikonduktor adalah dioda Schottky yang dibentuk dari pertemuan antara logam dan semikonduktor (sawar Schottky) sebagai ganti pertemuan p-n konvensional.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Karakteristik_arus.E2.80.93tegangan">Karakteristik arus–tegangan</span></h3> Karakteristik arus–tegangan dari dioda, atau kurva I–V, berhubungan dengan perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan atau daerah pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n di antara semikonduktor. Ketika pertemuan p-n dibuat, elektron pita konduksi dari daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak lubang yang menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang dan elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif pada sisi-N dan akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar pertemuan p-n menjadi dimiskinkan dari pembawa muatan dan karenanya berlaku sebagai isolator.<br /> Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh tanpa batas. Untuk setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion pengotor bermuatan positif ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada daerah terkotori-p. Saat penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah medan listrik terbentuk di dalam daerah pemiskinan yang memperlambat penggabungan dan akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.<br /> <h2> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Jenis-jenis_dioda_semikonduktor">Jenis-jenis dioda semikonduktor</span></h2> <div class="thumb tright" style="background-color: #f9f9f9; border: 1px solid rgb(204, 204, 204);"> <table border="0" cellpadding="10" cellspacing="0" style="border: 1px solid rgb(204, 204, 204); font-size: 85%; margin: 0.3em;"> <tbody> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_symbol.svg&filetimestamp=20060504035118" title="Simbol dioda"><img alt="Simbol dioda" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b4/Diode_symbol.svg/100px-Diode_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Zener_diode_symbol.svg&filetimestamp=20060506225048" title="Simbol dioda zener"><img alt="Simbol dioda zener" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/7f/Zener_diode_symbol.svg/100px-Zener_diode_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> </tr> <tr align="center"> <td>Dioda</td> <td>Dioda zener</td> </tr> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:LED_symbol.svg&filetimestamp=20090224145843" title="Simbol LED"><img alt="Simbol LED" height="31" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/e5/LED_symbol.svg/100px-LED_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Photodiode_symbol.svg&filetimestamp=20060504052533" title="Simbol dioda foto"><img alt="Simbol dioda foto" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/2b/Photodiode_symbol.svg/100px-Photodiode_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> </tr> <tr align="center"> <td>LED</td> <td>Dioda foto</td> </tr> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Tunnel_diode_symbol.svg&filetimestamp=20060504040721" title="Simbol dioda terobosan"><img alt="Simbol dioda terobosan" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c4/Tunnel_diode_symbol.svg/100px-Tunnel_diode_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Varicap_symbol.svg&filetimestamp=20060504040929" title="Simbol varaktor"><img alt="Simbol varaktor" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/0e/Varicap_symbol.svg/100px-Varicap_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> </tr> <tr align="center"> <td>Dioda terobosan</td> <td>Dioda varaktor</td> </tr> <tr align="center"> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Schottky_diode_symbol.svg&filetimestamp=20060504044307" title="Simbol dioda Schottky"><img alt="Simbol dioda Schottky" height="43" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c9/Schottky_diode_symbol.svg/100px-Schottky_diode_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> <td><a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:SCR_symbol.svg&filetimestamp=20060504041342" title="Simbol SCR"><img alt="Simbol SCR" height="57" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/e/e0/SCR_symbol.svg/100px-SCR_symbol.svg.png" width="100" /></a></td> </tr> <tr align="center"> <td>Dioda Schottky</td> <td>SCR</td> </tr> </tbody></table> <div style="border: medium none;"> <div class="thumbcaption"> Simbol berbagai jenis dioda</div> </div> </div> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 252px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_pinout_id.svg&filetimestamp=20110423232238"><img alt="" class="thumbimage" height="119" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fc/Diode_pinout_id.svg/250px-Diode_pinout_id.svg.png" width="250" /></a> <br /> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diode_pinout_id.svg&filetimestamp=20110423232238" title="Perbesar"><br /></a></div> Kemasan dioda sejajar dengan simbolnya, pita menunjukkan sisi katoda</div> </div> </div> <div class="thumb tright"> <div class="thumbinner" style="width: 222px;"> <a class="image" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diodes.jpg&filetimestamp=20060610061506"><img alt="" class="thumbimage" height="263" src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4b/Diodes.jpg/220px-Diodes.jpg" width="220" /></a> <br /> <div class="thumbcaption"> <div class="magnify"> <a class="internal" href="http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Berkas:Diodes.jpg&filetimestamp=20060610061506" title="Perbesar"><br /></a></div> Beberapa jenis dioda</div> </div> </div> Ada beberapa jenis dari dioda pertemuan yang hanya menekankan perbedaan pada aspek fisik baik ukuran geometrik, tingkat pengotoran, jenis elektroda ataupun jenis pertemuan, atau benar-benar peranti berbeda seperti dioda Gunn, dioda laser dan dioda MOSFET.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_biasa">Dioda biasa</span></h3> Beroperasi seperti penjelasan di atas. Biasanya dibuat dari silikon terkotori atau yang lebih langka dari germanium. Sebelum pengembangan dioda penyearah silikon modern, digunakan kuprous oksida (<i>kuprox</i>)dan selenium, pertemuan ini memberikan efisiensi yang rendah dan penurunan tegangan maju yang lebih tinggi (biasanya 1.4–1.7 V tiap pertemuan, dengan banyak lapisan pertemuan ditumpuk untuk mempertinggi ketahanan terhadap tegangan terbalik), dan memerlukan benaman bahan yang besar (kadang-kadang perpanjangan dari substrat logam dari dioda), jauh lebih besar dari dioda silikon untuk rating arus yang sama.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_bandangan">Dioda bandangan</span></h3> Dioda yang menghantar pada arah terbalik ketika tegangan panjar mundur melebihi tegangan dadal dari pertemuan P-N. Secara listrik mirip dan sulit dibedakan dengan dioda Zener, dan kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal dioda ini menghantar dengan mekanisme yang berbeda yaitu efek bandangan. Efek ini terjadi ketika medan listrik terbalik yang membentangi pertemuan p-n menyebabkan gelombang ionisasi pada pertemuan, menyebabkan arus besar mengalir melewatinya, mengingatkan pada terjadinya bandangan yang menjebol bendungan. Dioda bandangan didesain untuk dadal pada tegangan terbalik tertentu tanpa menjadi rusak. Perbedaan antara dioda bandangan (yang mempunyai tegangan dadal terbalik diatas 6.2 V) dan dioda Zener adalah panjang kanal yang melebihi rerata jalur bebas dari elektron, jadi ada tumbukan antara mereka. Perbedaan yang mudah dilihat adalah keduanya mempunyai koefisien suhu yang berbeda, dioda bandangan berkoefisien positif, sedangkan Zener berkoefisien negatif.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_Cat.27s_whisker">Dioda Cat's whisker</span></h3> Ini adalah salah satu jenis dioda kontak titik. Dioda cat's whisker terdiri dari kawat logam tipis dan tajam yang ditekankan pada kristal semikonduktor, biasanya galena atau sepotong batu bara. Kawatnya membentuk anoda dan kristalnya membentuk katoda. Dioda Cat's whisker juga disebut dioda kristal dan digunakan pada penerima radio kristal.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_arus_tetap">Dioda arus tetap</span></h3> Ini sebenarnya adalah sebuah JFET dengan kaki gerbangnya disambungkan langsung ke kaki sumber, dan berfungsi seperti pembatas arus dua saluran (analog dengan Zener yang membatasi tegangan). Peranti ini mengizinkan arus untuk mengalir hingga harga tertentu, dan lalu menahan arus untuk tidak bertambah lebih lanjut.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Esaki_atau_dioda_terobosan">Esaki atau dioda terobosan</span></h3> Dioda ini mempunyai karakteristik resistansi negatif pada daerah operasinya yang disebabkan oleh quantum tunneling, karenanya memungkinkan penguatan isyarat dan sirkuit dwimantap sederhana. Dioda ini juga jenis yang paling tahan terhadap radiasi radioaktif.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Dioda_Gunn">Dioda Gunn</span></h3> Dioda ini mirip dengan dioda terowongan karena dibuat dari bahan seperti GaAs atau InP yang mempunyai daerah resistansi negatif. Dengan panjar yang semestinya, domain dipol terbentuk dan bergerak melalui dioda, memungkinkan osilator gelombang mikro frekuensi tinggi dibuat.<br /> <br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Demodulasi_radio">Demodulasi radio</span></h3> Penggunaan pertama dioda adalah demodulasi dari isyarat radio modulasi amplitudo (AM). Dioda menyearahkan isyarat AM frekuensi radio, meninggalkan isyarat audio. Isyarat audio diambil dengan menggunakan tapis elektronik sederhana dan dikuatkan.<br /> <h3> <span class="editsection"></span><span class="mw-headline" id="Pengubahan_daya">Pengubahan daya</span></h3> <b>Penyearah</b> dibuat dari dioda, dimana dioda digunakan untuk mengubah arus bolak-balik menjadi arus searah. Contoh yang paling banyak ditemui adalah pada rangkaian adaptor. Pada adaptor, dioda digunakan untuk menyearahkan arus bolak-balik menjadi arus searah. Sedangkan contoh yang lain adalah alternator otomotif, dimana dioda mengubah AC menjadi DC dan memberikan performansi yang lebih baik dari cincin komutator dari dinamo DC.

Dioda Foto dari dioda semikonduktor Simbol Tipe Komponen aktif Kategori Semikonduktor (dioda k…

Read More